Контент страницы Мирошников Борис Николаевич Место для личной фотографии Контакты ТелефонРабочий адресг. Москва, ул. Красноказарменная, д. 14Email СтажНачало работы в МЭИ, год2011Научно-педагогический стаж, лет9Общий стаж работы, лет9 ОбразованиеУровень образованияОбразовательное учреждениеНаправление подготовкиМагистрФедеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Образования "Национальный Исследовательский Университет "МЭИ"210100 Электроника и наноэлектроникаКандидат технических наукФедеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Образования "Национальный Исследовательский Университет "МЭИ"01.04.10 Физика полупроводниковпроф. переподготовкаИДДО ФГБОУ ВО "НИУ "МЭИ""Менеджмент Достижения и поощренияГодОписаниеПриложенияНет данных Публикации и исследованияГодОписаниеСоавторыПриложения2016Кандидатская диссертация "Методы управления фотоэлектрическими параметрами фоторезисторов на основе PbS для импульсных оптикоэлектронных систем" специальность 01.04.10 Физика полупроводников 1 Преподаваемые дисциплиныПреподаваемые дисциплиныОптоэлектроника ч. 1 и ч.2Твердотельная электроника (лабораторные и практические занятия)Многоэлементные приемники излученияСхемотехника (лаб.)Импульсная техника (лаб.)Проектирование и технология электронной компонентной базыСветотехнические установки (практические занятия) Краткая информация о служебной/научной карьереКраткая информация о служебной/научной карьереС апреля 2011 года инженер каф. ППЭ НИУ МЭИ; С сентября 2011 года - ассистент (по совместительству) 2012-2017 года - ассистент / старший преподаватель; 06.10.2016 - защита кандидатской диссертации по специальности 01.04.10 Физика полупроводников; С мая 2017 года - доцент каф. ЭиН НИУ МЭИ; 2018 год - получено дополнительное образование. Проф. переподготовка по программе «Организация и управление образовательной и научной деятельностью в ВУЗе» по направлению «Менеджмент»; С октября 2018 года - доцент каф. Светотехника (по совместительству). Сфера интересовСфера интересовФотоприемники на основе халькогенидов свинца, СПМШ, обнаружительная способность, чувствительность, морфология поверхности, технология получения фотоприемников, время жизни, время релаксации. 31.05.2023 15:32