Кафедра
Электроники и наноэлектроники готовит бакалавров и магистров по направлению
"Электроника и наноэлектроника".
Электроника и наноэлектроника
— высокотехнологичная отрасль, находящаяся на
передних рубежах физики и опирающаяся на широкое международное сотрудничество.
Кафедра
сформирована путем объединения кафедр электронных приборов и полупроводниковой
электроники в 2015 г. Кафедра электронных приборов была организована в 1933 г.
по инициативе профессоров К.А. Круга и Я.Н. Шпильрейна и именовалась кафедрой
электронной техники и приборов (заведующий профессор А.П. Иванов). Подчиняясь
требованиям времени, в 1954 году в Московском инженерно-физическом институте
была создана кафедра, которая первоначально называлась
"Полупроводники". Заведующей кафедрой стала ректор МИФИ профессор К.В.
Шалимова. Кафедра должна была готовить инженеров по новой специальности
"Диэлектрики и полупроводники", на которую приглашались студенты
старших курсов с других специальностей. В 1956 году кафедра вместе с заведующей
кафедрой, преподавателями и студентами была переведена в Московский
энергетический институт и стала называться "Полупроводниковые
приборы", по мере развития электроники кафедра затем была переименована в
кафедру "Полупроводниковой электроники", т.к. именно проектирование
больших и сверхбольших интегральных схем стало основным направлением кафедры.
За свою историю кафедра Электроники и наноэлектроники выпустила несколько тысяч
специалистов: инженеров, бакалавров и магистров, работающих в различных
отраслях промышленности.
Для обучения по
специальностям кафедра формирует отдельную учебную группу из студентов с учетом
их способностей к углубленному изучению физико-математических дисциплин.
До 4 семестра
студенты специальности обучаются вместе со всеми студентами Института
радиотехники и электроники факультета Электронной техники по единому учебному
плану подготовки бакалавров направления "Электроника и наноэлектроника (11.03.04)".
С 4 семестра
начинается специальная подготовка, что позволяет студентам уже к окончанию
бакалавриата получить инженерное образование. В числе таких дисциплин: "Физика твердого тела", "Физика полупроводниковых приборов и
интегральных схем", "Физика
и технология неупорядоченных полупроводников", и др.
Обучение в
магистратуре позволяет получить углубленные знания по дисциплинам "Актуальные проблемы современной электроники
и наноэлектроники", "Проектирование
и технология электронной компонентной базы", "Проектирование и технология СБИС",
"Оптоэлектроника" и т.п. в
сочетании с практическим опытом на ведущих предприятиях г. Москвы и Московской
области.
Занятия со
студентами специальности проводят как штатные преподаватели кафедры, так и
сотрудники ведущих профильных институтов: Института нанотехнологии
микроэлектроника РАН РФ (ИНМЭ РАН),
Всероссийского электротехнического института госкорпорации "Росатом", создана и успешно
работает базовая кафедра в ИНМЭ РАН, где студенты проходят научные исследовательские
работы и практики.
Начиная с 4 курса
бакалавриата и все время обучения в магистратуре студенты занимаются индивидуальной
научно — исследовательской работой, причем они имеют возможность работать на
современном оборудовании на кафедре, в ИНМЭ
РАН, НПО "Орион", ОАО
"Российские космические системы"
(РКС) и в ряде других предприятий отрасли. Курсовые, выпускные работы, выполненные
в ходе обучения, являются оригинальными исследованиями, поэтому многие студенты
к моменту окончания института имеют научные публикации, что позволяет после
окончания магистратуры продолжить обучение в аспирантуре кафедры, являющейся
третьим уровнем обучения.
Как правило, большая часть студентов
специальности получает повышенную стипендию, в том числе именные стипендии
Президента, Правительства Российской Федерации и Ученого совета МЭИ.