Лабораторные работы выполняются по следующим дисциплинам:
- Наноэлектроника;
- Твердотельная электроника;
- Импульсная техника;
- Физика полупроводниковых приборов и интегральных схем;
- Физика твердого тела;
- Проектирование и технология СБИС;
- Полупроводниковые приборы СВЧ;
- Оптоэлектроника.
Примеры лабораторных работ:
Импульсная техника:
1. Статический режим ключа на биполярном транзисторе.
2. Переходные процессы в транзисторном ключе при работе на активно - емкостную нагрузку.
3. Переходные процессы в транзисторном ключе при работе на активно-индуктивную нагрузку.
4. Изучение работы ключа на основе МОП-транзистора на активно-индуктивную нагрузку
Цикл №2 Логические схемы (выполняется 1 работа из перечисленных):
5. Изучение транзисторно-транзисторных логических схем.
6. Изучение транзисторных логических схем на переключателях тока с эмиттерной связью.
7. Логические элементы на КМОП-транзисторах.
Цикл №3 Мультивибраторы (выполняется 1 работа из перечисленных):
8. Исследование принципов работы симметричных мультивибраторов.
9. Мультивибратор с одним времязадающим конденсатором.
10. Мультивибратор с двумя времязадающими цепями.
11. Ждущий мультивибратор.
Цикл №4 Триггеры и ГЛИНы (выполняется 1 работа из перечисленных):
12. Изучение триггеров.
13. Триггер Шмидта.
14. Изучение принципа построения схемы генератора линейно изменяющегося напряжения.
Наноэлектроника
Лабораторные работы проводятся как в виде традиционных занятий с использованием учебного комплекса НАНОЭДЬЮКАТОР, туннельный микроскопа "УМКА", так и в виде экскурсии в Наноцентр МЭИ с целью знакомства с современным оборудованием (исследовательский комплекс на базе электронного просвечивающего микроскопа и др.) для исследования атомной структуры образцов
Оптоэлектроника
1 Исследование характеристик электролюминесцентного конденсатора и резистивного оптрона на его основе.
2.Изучение характеристик инжекционного светодиода.
3. Исследование параметров полупроводникового лазера.
4. Изучение статических характеристик полупроводниковых фотодиодов и фоторезисторов.
5.Исследование работы фоторезисторов в динамическом режиме.
6. Исследование работы фотодиодов с "прозрачной" и-областью в динамическом режиме.
7. Изучение работы диодного оптрона в импульсном режиме
8. Исследование акустооптического дефлектора.
9. Исследование вольт-амперных характеристик светоизлучательных диодов.
10.Исследование вольт-амперных характеристик фоторезисторов.
11.Исследование световых характеристик фоторезисторов.
12.Исследование спектральных характеристик фоторезисторов.
13. Исследование релаксации фотопроводимости фоторезисторов.
Основы технологии электронной компонентной базы
1. Диффузионное легирование полупроводников.
2. Изучение особенностей легирования методом ионной имплантации.
3. Термическое окисление кремния.
4.Фотошаблоны и последовательность изготовления структур биполярных ИС
Твердотельная электроника
1.Исследование статических вольтамперных характеристик полупроводниковых диодов
2.Исследование температурной зависимости статических вольтамперных характеристик полупроводниковых диодов.
3.Изучение статических характеристик биполярного транзистора, включенного по схеме с общей базой.
4.Изучение статических характеристик биполярного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером.
5.Исследование статических характеристик полевого транзистора с управляющим pn- переходом.
6.Исследование статических характеристик полевого транзистора с МДП - структурой.
Физика неупорядоченных полупроводников
1. Электронно-микроскопические и дифракционные исследования пленок нанокомпозитов.
2. Определение характеристик оптических дисков методами туннельной и атомно-силовой микроскопии.
3. Входной контроль структурно-чувствительных параметров некристаллических полупроводников при производстве приборов.
4. Спектральная чувствительность и вольт-амперная характеристика солнечного элемента.
5. Определение параметров вакуумной установки и получение тонких пленок ионно-плазменными методами.
6. Измерение коэффициента поглощения и плотности состояний в полупроводниках с помощью метода постоянного фототока.
7. Исследование структурных превращений в халькогенидных стеклообразных полупроводниках.
Физика полупроводниковых приборов и интегральных схем
Цикл 1. Исследование характеристик и параметров биполярных полупроводниковых структур: германиевого и кремниевого диода, германиевого и кремниевого транзистора, включенного по схеме ОЭ.
Цикл 2. Исследование характеристик и параметров униполярных полупроводниковых структур: ПТУП и МДП-транзистора.
Цикл 3. Исследование импульсных характеристик биполярных полупроводниковых структур: диодов и транзисторов.
Физика твердого тела
1. Изучение процессов рекомбинации неравновесных носителей заряда.
2. Изучение процессов диффузии неравновесных носителей заряда.
3. Изучение процессов дрейфа неравновесных носителей заряда.
4. Исследование оптических свойств полупроводников.
Элементы микроэлектронных систем
Выполняется 4 лабораторные работы из перечисленных ниже:
1. Минимизация двоичной функции.
2. Преобразователи кодов.
3. Шифраторы и дешифраторы.
4. Мультиплексоры и демультиплексоры.
5. Двоичные компараторы.
6. Сумматоры и полусумматоры.
7. Микроконтроллеры.